Samsung telah mengumumkan pembangunan modul memori DDR5-7200 512GB menerusi acara Hot Chips 33 baru-baru ini. Sebagai perbandingan modul memori Samsung baharu ini menawarkan peningkatan prestasi sehingga 40% dengan DDR4 pada kuasa voltan 1.1V sahaja.
Modul memori ini dibina dengan lapan tindanan acuan DDR5 yang disalinghubungkan dengan teknologi TSV (through-silicon-via). Ini merupakan kemajuan yang amat besar dari DDR4 kerana sebelum ini hanya terhad pada empat acuan sahaja.
Sungguhpun hadir dengan rekaan yang lebih tumpat, tindanan DDR5 ini hanya berukuran 1.0mm berbanding DDR4 iaitu 1.2mm. Menggunakan teknik mengurus wafer tipis, Samsung mampu mengurangkan sela antara acuan sehingga 40%, seterusnya mengurangkan ketinggian tindanan.
Samsung DDR5-7200 lebih pantas, lebih optimum
Berdasarkan pembentangan oleh Samsung berkenaan, pihak syarikat telah melaksanakan Same-Bank Refresh (SBR) pada modul memori DDR5-7200 berkenaan. Samsung turut menyatakan peningkatan kecekapan bas DRAM telah meningkat sebanyak 10%. Turut diperkenalkan, Decision Feedback Equalizer (DFE) yang membantu meningkatkan kestabilan isyarat pada modul tersebut.
Modul memori DDR5-7200 beroperasi pada voltan 1.1V, kurang sebanyak 0.92x berbanding DDR4. Peningkatan kecekapan tenaga ini mampu dicapai melalui high-efficiency power management IC (PMIC), pengatur voltan dan proses get High-K Metal.
Samsung turut menyatakan PMIC bukan sahaja menyumbang kepada pengurangan voltan operasi, malah turut mengurangkan hingar sepanjang proses. Seperti yang dijangkakan, modul memori ini juga hadir dengan on-die error-correction code (ODECC) bagi memastikan pengurusan data yang lebih dipercayai dan selamat.
Pengeluaran modul memori Samsung DDR5 512GB ini dikhususkan untuk kegunaan pusat-pusat data dan pelayan-pelayan. Kemungkinan besar, modul memori DDR5 untuk pengguna umum hanya terhad pada 64GB sahaja. Mengambil kira perkembangan semasa dari pengeluar perkakasan komputer lain seperti Intel dan AMD, berkemungkinan besar pengguna umum mampu mempunyai sistem komputer peribadi dengan memori sehingga 256GB.
Samsung menjangkakan pengeluaran besar-besaran modul memori DDR5-7200 512GB ini akan dimulakan pada penghujung tahun 2021. Peralihan ke DDR5 di dalam pasaran arus perdana dijangka berlaku sekitar tahun 2023 atau 2024 nanti. Buat masa ini, cip hibrid Intel Generasi Ke-12 Alder Lake akan menjadi pemprosesan arus perdana pertama yang menyokong DDR5 dan akan diperkenalkan pada musim luruh 2021 ini.
